超导 MgB_2 的上临界磁场
超导电性
2014-10-13 v1
摘要
研究了最近发现的 MgB_2 超导体在最高 16 高斯的磁场下进行的上临界磁场 Hc2(T)。从 ac 电导和电阻数据确定了调查样品的主要部分的上临界磁场，发现其在 T=0 时达到 Hc2(0)=13 高斯，对应于 5.0 nm 的相干长度。样本的少数部分表现出更高的上临界磁场，这些磁场通过电阻和 dc 磁化测量进行测量。上临界磁场 Hc2(T) 的温度依赖性在 Tc 附近以及中温处显示出正曲率。这种 Hc2(T) 的正曲率与在 YNi_2B_2C 和 LuNi_2B_2C 中的结果相似，这表明 MgB_2 处于洁净极限中。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0102517,
title = {The upper critical field in superconducting MgB_2},
author = {K. -H. Müller and G. Fuchs and A. Handstein and K. Nenkov and V. N. Narozhnyi and D. Eckert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0102517},
year = {2014}
}
备注
8 pages with 4 figures