基于超导体中 ΔH = ΔB 区域宽度的上临界场测量方法

我们研究了一种基于 ΔH = ΔB 区域宽度测量超导体上临界场 (H$_{c2}$) 的方法，该区域出现在体缺陷多且占主导的超导体中。本文给出该方法的基本概念与细节。尽管超导体的 H$_{c2}$ 由其种类决定，但实验上难以测量 H$_{c2}$，且结果随实验条件不同而不同。H$_{c2}$ 由如下理论算出：当体缺陷处钉扎的通量其排列与超导体 H$_{c2}$ 态相同时，这些通量被取出并移入超导体内部。用该方法得到的 MgB$_2$ 在 0 K 时的 H$_{c2}$ 为 65.4 特斯拉。该方法所得 H$_{c2}$ 更接近终极 H$_{c2}$ 的原因在于：当半径为 163 nm 的体缺陷处钉扎的通量被取出时，ΔF$_{pinning}$/ΔF$_{pickout}$ 大于 4。该方法将有助于发现体缺陷主导超导体的终极 H$_{c2}$。