体缺陷主导超导体中的 Delta H = Delta B 区域
应用物理
2019-05-16 v2 超导电性
摘要
根据 Ginzburg-Landau 理论，人们普遍认为抗磁性在下临界场之后会减弱。然而，我们发现 (Fe, Ti) 颗粒掺杂 MgB2 样品的磁化曲线中出现了 Delta H = Delta B 段，这不符合该理论。我们探讨这一现象是否仅局限于 (Fe, Ti) 颗粒掺杂二硼化镁超导体，是否存在理论基础，以及为何未在其他超导体中出现。我们已知 Delta H = Delta B 段的成因是超导体中缺陷的钉扎现象，且仅发生于体缺陷主导的超导体中。在假设缺陷处于理想状态的前提下，我们估计了 Delta H = Delta B 段的宽度随缺陷数量和 Hc2 的变化，并与实验结果进行了对比。我们假设，如果钉扎在缺陷处的磁通之间的距离等于上临界场的距离，则被钉扎的磁通必须从缺陷中脱离并进入超导体内部，而不论缺陷的自由能深度如何。我们认为该现象迄今未被报道的原因是体缺陷主导超导体的磁通跳跃。该段意味着，在存在体缺陷的超导体内部，穿透进来的磁通在 Ginzburg-Landau 行为出现之前，会优先被钉扎在整个样品的体缺陷上。我们相信，如果体缺陷的尺寸在一定程度上是均匀的，且面缺陷和线缺陷的影响较小且不发生磁通跳跃，则该段必定能在任何超导体中被观察到。因为这是体缺陷主导超导体中钉扎现象的基本性质之一。
引用
@article{arxiv.1805.04683,
title = {Delta H = Delta B region in volume defect-dominating superconductor},
author = {H. B. Lee and G. C. Kim and H. J. Park and Y. C. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.04683},
year = {2019}
}
备注
18page 4 figures, G-L theory, (Fe, Ti) particle, MgB2, Delta H = Delta B region