钴掺杂 SrFe2As2 外延膜中的伪各向同性上临界场
超导电性
2009-04-12 v2
摘要
本文报道了在高达 50 T 的脉冲磁场下，钴掺杂 SrFe2As2 外延膜在 Tc 至 0.5 K 之间的上临界场 (Hc2) 的温度和角度依赖性。对于 H 平行 c 的情况，Hc2 接近温度的线性函数，而在垂直方向上存在显著的向下弯曲，导致 Hc2 比率 (gamma = Hc2(perpendicular)/Hc2(parallel)) 随温度近线性下降，在低温下接近 gamma = 1，此时 Hc2(0) = 47 T。我们测量了包含角度依赖性的完整上临界场相图，并使用双带理论对数据进行了建模，从而确定了两个带的各向异性、它们的相对扩散率以及 BCS 耦合常数矩阵元之间的关系。我们发现两个带的扩散率之间存在不同寻常的关系，具有两个各向异性且相反的带。这一关系得到了在低温下观察到 Hc2(parallel) 局部最大值的支持。
引用
@article{arxiv.0811.3994,
title = {Psuedo-isotropic upper critical field in cobalt-doped SrFe2As2 epitaxial films},
author = {S. A. Baily and Y. Kohama and H. Hiramatsu and B. Maiorov and F. F. Balakirev and M. Hirano and H. Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.3994},
year = {2009}
}