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RbCr$_{3}$As$_{3}$ 中的上临界场及其各向异性

超导电性 2019-12-25 v1

摘要

通过在静磁场高达 38 T、温度低至 0.35 K 下磁电阻测量,确定了 RbCr3_{3}As3_{3} 单晶( TcT_{c}\approx 7.3 K)中上临界场(Hc2H_{c2})的温度依赖关系。磁场分别施加于平行于(HcH\parallel c , Hc2cH_{c2}^{\parallel c})和垂直于(HcH\perp cHc2cH_{c2}^{\perp c})Cr 链的方向。曲线 Hc2c(T)H_{c2}^{\parallel c}(T)Hc2c(T)H_{c2}^{\perp c}(T)\sim 5.5 K 处交叉。结果,各向异性参数 γ(T)=Hc2c/Hc2c(T)\gamma (T)=H_{c2}^{\perp c}/H_{c2}^{\parallel c}(T) 从近 TcT_{c} 处的 0.5 增加至低温下的 1.6。用 Werthamer-Helfand-Hohenberg(WHH)模型拟合得到零温临界场 μ0Hc2c(0)\mu_0H_{c2}^{\parallel c}(0)\approx 27.2 T 与 μ0Hc2c(0)\mu_0H_{c2}^{\perp c}(0)\approx 43.4 T,均超过 BCS 弱耦合泡利极限 μ0Hp=1.84Tc=13.4\mu_0H_{p}=1.84T_{c}=13.4 T。结果表明顺磁对破缺效应对于 HcH \parallel c 强而对于 HcH \perp c 不存在,这被角度依赖磁电阻与 Hc2H_{c2} 测量进一步证实。

关键词

引用

@article{arxiv.1912.03806,
  title  = {The upper critical field and its anisotropy in RbCr$_{3}$As$_{3}$},
  author = {Qimei Liang and Tong Liu and Chuanying Xi and Yuyan Han and Gang Mu and Li Pi and Zhi-An Ren and Zhaosheng Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1912.03806},
  year   = {2019}
}

备注

6 pages, 5 figures