平行磁场中电子掺杂 Pr$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4-\delta}$ 的上临界场

我们报告了对电子掺杂铜氧化物 Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4-\delta}$ 电阻超导转变的系统研究，温度低至 1.5 K，施加的磁场高达 58 T 且平行于导电 ab 平面。我们发现，对于欠掺杂和最佳掺杂薄膜，零温平行临界场 (H$_{c2\parallel ab}$(0)) 超过 58 T。对于过掺杂薄膜，58 T 足以抑制超导性。我们还发现，对于所有掺杂浓度，Zeeman 能量 $\mu_B$H$_{c2\parallel ab}$(0) 达到了超导能隙 ($\triangle_0$)，即 $\mu_B$H$_{c2\parallel ab}(0)\simeq \triangle_0$，这强烈表明电子掺杂铜氧化物中的平行临界场由 Pauli 顺磁极限决定。