直流磁控溅射制备不同Ce掺杂的电子掺杂La(2-x)CexCuO4薄膜
超导电性
2009-08-18 v1 强关联电子
摘要
采用直流磁控溅射技术在 (100) SrTiO3 衬底上合成了一系列 c 轴取向的电子掺杂高温超导 La(2-x)CexCuO4 薄膜，掺杂范围从重度欠掺杂 x=0.06 到重度过掺杂 x=0.19。详细研究了各种制备条件（如沉积温度和沉积速率等）对薄膜质量的影响。我们发现，在过掺杂区，薄膜质量对沉积温度的敏感度低于欠掺杂区。在 Tc(x) 相图中，超导穹顶表明最佳掺杂水平在 x=0.105 处，转变温度 Tc0 = 26.5 K。此外，在 x ≈ 0.15 附近，观察到低温下 H=10 T 时 (T) 曲线上翘的消失以及正的微分霍尔系数 ，表明在此掺杂水平下费米面可能发生了重构。
引用
@article{arxiv.0908.2210,
title = {Preparation of electron-doped La(2-x)CexCuO4 thin films with various Ce doping by dc magnetron sputtering},
author = {B. X. Wu and K. Jin and J. Yuan and H. B. Wang and T. Hatano and B. R. Zhao and B. Y. Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.2210},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures