电子掺杂 La2-xCexCuO4 中的费米面重构与反常低温电阻率
超导电性
2017-11-01 v1
摘要
我们报告了在高达 14T 的磁场和低至 1.8K 的温度下，作为掺杂函数的 La2-xCexCuO4 薄膜的 ab 面霍尔效应和磁阻测量结果。在掺杂 Ce=0.14 附近发现了低温（1.8 K）正常态霍尔系数的剧烈变化。这与作为磁场函数的非线性霍尔电阻一起，表明费米面在临界掺杂 Ce=0.14 处发生重构。竞争的反铁磁相可能是这种费米面重构的原因。在 Ce=0.14 处发现了低温线性 T 电阻率，但反常的是，在更高掺杂下也发现了该现象。我们将我们的数据与在赝能隙结束的掺杂处空穴掺杂铜氧化物中发现的类似行为进行了比较。
引用
@article{arxiv.1706.07836,
title = {Fermi Surface reconstruction and anomalous low temperature resistivity in electron-doped La2-xCexCuO4},
author = {Tarapada Sarkar and P. R. Mandal and J. S. Higgins and Yi Zhao and Heshan Yu and Kui Jin and Richard L. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.07836},
year = {2017}
}
备注
19 pages,9 figures