高$T_c$铜氧化物中通过电子袋的霍尔效应与费米面重构
超导电性
2016-02-10 v2
摘要
高铜氧化物在进入赝能隙相时，其费米面从大的类空穴桶状结构剧烈转变为小弧或袋状结构的机制，仍是一个根本性的重要问题。本文基于Yang, Rice和Zhang提出的共振价键自旋液体模型，计算了正常态霍尔系数。在该模型中，费米面重构通过一个中间态实现，此时费米面同时包含类空穴和类电子口袋。我们发现，在此狭窄掺杂范围内，霍尔数的掺杂依赖关系从转变为。在低温下，霍尔系数从下降到上升的转变，标志着类电子口袋离开费米面。
引用
@article{arxiv.1512.03112,
title = {Hall effect and Fermi surface reconstruction via electron pockets in the high-$T_c$ cuprates},
author = {J. G. Storey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.03112},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 5 figures