电子掺杂铜氧化物 Pr(2-x)CexCuO4 中的费米面重构
超导电性
2016-12-07 v1 强关联电子
摘要
我们报告了对电子掺杂铜氧化物 Pr(2-x)CexCuO4 (PCCO) 薄膜的广泛电阻率、霍尔效应和磁电阻测量，作为掺杂、温度和磁场的函数。低温下电阻率和霍尔数的掺杂依赖性是一个接近量子相变或费米面重构 (FSR) 点的系统的特征。自旋磁电阻在临界点附近降至零。本文呈现的数据是在 2004-2007 年期间收集的，但从未以这种综合形式发表。由于最近对空穴掺杂铜氧化物正常态中发现的非常相似的结果产生了兴趣，我们相信我们较早的、大部分未发表的工作结果将引起当前铜氧化物研究界的兴趣。特别是，图 11 显示了 PCCO 中在 FSR 点处霍尔数的大幅变化，类似于最近在 YBCO 和 LSCO 中发现的情况（见参考文献[1]和[2]）。此外，图 6 说明了电阻率上升如何受 FSR 影响。电阻率上升的原因被归因于在空穴掺杂铜氧化物中掺杂低于 FSR 时的载流子损失（见参考文献 3），然而，这种情况不能解释 PCCO 的数据。n 型掺杂铜氧化物中的上升更可能是由于载流子减少和 FSR 以下散射率变化的组合（另见参考文献 4）。本文的图 18 说明了 FSR 以下自旋散射的变化。Chen 等人[5]开发了一个基于自旋散射的模型，能够定性地解释所有铜氧化物中的电阻率上升。
引用
@article{arxiv.1612.01703,
title = {Fermi Surface Reconstruction in the Electron-doped Cuprate Pr(2-x)CexCuO4},
author = {Yoram Dagan and Richard L. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.01703},
year = {2016}
}
备注
Most of the paper was written 10 years ago but has never been published