电子掺杂铜氧化物低温霍尔效应理论
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
本文给出了电子掺杂铜氧化物（如）霍尔电导极限的平均场计算。发现数据与密度波序所预期的费米面重构定性一致。发现密度波能隙的量级较大。霍尔电阻在密度波序的量子临界点表现出非解析性，但发现该反常幅度小至不可观测。确定了的量子临界贡献。计算与数据之间仍存在定量差异，表明实验掺杂量与浓度并不相同。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507310,
title = {Theory of Low-Temperature Hall Effect in Electron-Doped Cuprates},
author = {Jie Lin and A. J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507310},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 10 figures