电子掺杂 Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_4$ 中的 Nernst 效应
超导电性
2016-08-31 v2
摘要
我们测量了 PrCeCuO (x=0.13, 0.15, 和 0.17) 的 Nernst 效应，测量温度范围为 5-120 K，磁场范围为 0-14 T。与最近在空穴掺杂 cuprate 中发现的异常较大的 Nernst 效应（见 \cite{xu,wang1,wang2,capan}）相比，我们发现所有掺杂条件下 PrCeCuO 在 T 和 H 之上仅表现出正常的 Nernst 效应。PrCeCuO 中缺乏异常 Nernst 效应支持了基于空穴掺杂 cuprate 中�幅和相位涨落来解释该效应的模型。此外，由 Nernst 效应确定的 H(T) 对所有掺杂条件均表现出常规行为。来自 H(0) 确定的能隙随着系统从欠掺杂向过掺杂的移动而减小，这与最近的隧道实验结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303469,
title = {Nernst Effect in Electron-Doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_4$},
author = {Hamza Balci and C. P. Hill and M. M. Qazilbash and R. L. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303469},
year = {2016}
}