dc 磁网溅射制备的非掺杂 nominal 超导 (La,Y)$_2$CuO$_4$ 薄膜中的内在电子掺杂
超导电性
2015-06-25 v1 材料科学
强关联电子
摘要
成功地通过 dc 磁网溅射和真空中的原位后退火制备了名为 "非掺杂" 的 (LYCO) 超导薄膜。最佳的 超过 13K,在具有高度纯净的 c 轴取向 T' 型结构中实现。正常态下,电阻的准二次温度依赖、负 Hall 系数以及薄膜中氧含量的作用,与典型 Ce 掺杂 T' 型 214 型 cuprate 类似,表明 T'-LYCO 具有类似已知 n 型 cuprate 的电子掺杂特性,并且不像此前提议的那样是带超导体。电子载流子被认为是由氧缺失引起的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611117,
title = {Intrinsic electron-doping in nominal "non-doped" superconducting (La,Y)$_2$CuO$_4$ thin films grown by dc magnetron sputtering},
author = {L. Zhao and G. Wu and R. H. Liu and X. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611117},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 7 figures