电子掺杂无限层Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$薄膜的穿透深度
超导电性
2011-02-04 v3
摘要
本文通过交流磁化率测量，研究了通过氧还原获得的不同掺杂水平下SrLaCuO薄膜的面内穿透深度。对于较高掺杂的样品，超流密度强烈偏离s波行为，这表明与其他电子掺杂铜氧化物类似，存在来自节线空穴口袋的贡献，或者费米面上存在小能隙（例如各向异性s波序参量）。超流密度较低，可能是由于强烈的掺杂诱导无序，这使得我们样品的超导转变处于相位涨落区。
引用
@article{arxiv.1003.5559,
title = {Penetration depth of electron-doped-infinite-layer Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$ thin films},
author = {L. Fruchter and V. Jovanovic and H. Raffy and Sid Labdi and F. Bouquet and Z. Z. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5559},
year = {2011}
}