通过分子束外延体电子掺杂调控Sr2IrO4薄膜的电子结构
强关联电子
2015-04-27 v1
摘要
利用具有快门生长模式的氧化物分子束外延，我们制备了一系列电子掺杂的 (Sr1-xLax)2IrO4(001) (x = 0, 0.05, 0.1 和 0.15) 单晶薄膜，并利用原位角分辨光电子能谱研究了电子结构的掺杂依赖关系。我们发现随着掺杂比例增加，样品的费米能级逐渐上移。显著地，在标称掺杂 15% 的样品中明显观察到一个围绕 M 点穿过费米能级的额外电子口袋。此外，体敏感输运测量证实，相对于初始生长的 Sr2IrO4，掺杂有效抑制了绝缘态，尽管由于可能源于包括氧缺陷在内的无序的局域化效应，掺杂样品在低温下仍保持绝缘。我们的工作提供了另一种可行的掺杂方法来调控 Sr2IrO4 的电子结构。
引用
@article{arxiv.1504.06393,
title = {Tuning the electronic structure of Sr2IrO4 thin films by bulk electronic doping using molecular beam epitaxy},
author = {M. Y. Li and Z. T. Liu and H. F. Yang and J. L. Zhao and Q. Yao and C. C. Fan and J. S. Liu and B. Gao and D. W. Shen and X. M. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06393},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures