静电掺杂诱导二维YBa2Cu3O7-x中电子相变的迹象
超导电性
2011-08-02 v1 强关联电子
摘要
我们利用离子液体作为介电材料，通过静电掺杂成功将欠掺杂的超薄YBa2Cu3O7-x薄膜调控至过掺杂区域。该过程被证明是可逆的。输运测量显示，与化学掺杂的块体样品相比，存在一系列异常特征，并揭示了静电掺杂的不同两步掺杂机制。在过掺杂侧，正常电阻随载流子浓度增加而增大，高温（180 K）霍尔数在掺杂水平p~0.15处达到峰值。这些异常行为表明，在最佳掺杂水平附近费米面存在电子相变。
引用
@article{arxiv.1108.0083,
title = {Indications of an Electronic Phase Transition in 2D YBa2Cu3O7-x Induced by Electrostatic Doping},
author = {Xiang Leng and Javier Garcia-Barriocanal and Boyi Yang and Yeonbae Lee and Allen M. Goldman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0083},
year = {2011}
}
备注
4 pages,3 figures