插层铁磷族超导体 Ba2Ti2Fe2As4O 中关联诱导的自掺杂效应
超导电性
2015-01-09 v1
摘要
利用角分辨光电子能谱并结合局域密度近似与动力学平均场理论计算，研究了插层铁基超导体 Ba2Ti2Fe2As4O（Tc ~ 21.5 K）的电子结构。费米能级附近的电子态主要由 Fe 3d 和 Ti 3d 轨道贡献，表明分隔不同 FeAs 层的间隔层也是金属性的。通过计算费米面片的包围体积，我们观察到一个显著的自掺杂效应，即每单胞有 0.25 个电子从 FeAs 层转移至 Ti2As2O 层，使得 FeAs 层处于空穴掺杂态。我们的动力学平均场计算成功复现了这一奇特行为，其中自掺杂效应归因于 Fe 3d 壳层中的电子关联。我们的工作为铁基超导体提供了一种无需元素替代的有效掺杂新途径。
引用
@article{arxiv.1409.4090,
title = {Correlation-induced self-doping in intercalated iron-pnictide superconductor Ba2Ti2Fe2As4O},
author = {Junzhang Ma and Ambroise van Roekeghem and Pierre Richard and Zhonghao Liu and Hu Miao and Lingkun Zeng and Nan Xu and Ming Shi and Chao Cao and Junbao He and Gengfu Chen and Yunlei Sun and Guanghan Cao and Shancai Wang and Silke Biermann and Tian Qian and Hong Ding},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.4090},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures + Supplementary material