新型钾插层铁硒超导体KxFe2Se2的电子结构与费米面
超导电性
2015-05-20 v1
摘要
利用第一性原理FLAPW-GGA方法，我们研究了最新合成的ThCr2Si2型钾插层铁硒超导体KxFe2Se2的电子能带结构、态密度和费米面拓扑。我们发现，化学计量比KFe2Se2的电子态与同构的铁基砷化物超导体相去甚远。因此，实验观测到的该材料超导电性的主要因素是钾的缺失，即空穴掺杂效应。另一方面，基于所得结果，我们得出结论：在存在K空位的情况下，新型KxFe2Se2超导体的电子系统调控是通过结构弛豫和空穴掺杂的联合效应实现的，其中结构因素负责能带拓扑的修改，而掺杂水平决定了能带的填充。
引用
@article{arxiv.1012.5164,
title = {Electronic structure and Fermi surface of new K intercalated iron selenide superconductor KxFe2Se2},
author = {I. R. Shein and A. L. Ivanovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5164},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures