过掺杂铁硫族化合物TlFe$_{2}$Se$_{2}$（ThCr$_{2}$Si$_{2}$结构）的密度泛函研究
超导电性
2009-04-01 v1
摘要
我们报道了具有ThCrSi结构的三元铁硫族化合物TlFeSe的电子结构和磁性质的密度泛函计算结果，并讨论了这些结果与铁基超导体的关系。基态为具有棋盘序的反铁磁态，Fe磁矩约为1.90 B。存在与铁基超导体类似的强磁弹耦合，表现为Se位置对磁性的敏感性。Tl在该化合物中为一价，相对于铁基超导体的母体化合物，每个Fe提供了0.5个额外载流子的重电子掺杂。除了电子计数的变化外，电子结构与这些材料相当相似。特别是，费米面与铁基超导体的费米面密切相关，只是电子柱更大，而空穴部分被抑制。这消除了形成自旋密度波的趋势。
引用
@article{arxiv.0902.0265,
title = {Density Functional Study of the Over-Doped Iron Chalcogenide: TlFe$_{2}$Se$_{2}$ with ThCr$_{2}$Si$_{2}$ structure},
author = {Lijun Zhang and D. J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.0265},
year = {2009}
}