空穴掺杂BaFe2As2中电子性质的卫星峰及强掺杂与温度依赖性
强关联电子
2015-05-28 v1
摘要
在过去几年中，铁基化合物家族中已发现多种超导体。尽管研究密集，但这些材料的基本电子性质，如费米面、有效电子质量或轨道特征，仍存在争议。在此，我们探讨一个此前未被考虑的问题，即Fe-d电子间库仑相互作用的动态屏蔽效应。我们证明了该效应不仅对光电子能谱中观测到的关联卫星峰至关重要，也对低能电子结构有重要影响。通过对BaFe2As2正常相的分析，我们描绘出一幅强关联化合物的图像，其性质具有强烈的掺杂和温度依赖性。在空穴过掺杂区域，发现了一种非相干金属，而在未掺杂化合物中则恢复了费米液体行为。在最佳掺杂下，自能展现出一种不寻常的平方根能量依赖性，导致费米能级附近出现强烈的能带重整化。
引用
@article{arxiv.1107.3128,
title = {Satellites and large doping- and temperature-dependence of electronic properties in hole-doped BaFe2As2},
author = {Philipp Werner and Michele Casula and Takashi Miyake and Ferdi Aryasetiawan and Andrew J. Millis and Silke Biermann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3128},
year = {2015}
}