无限层 NdNiO2 电子结构的掺杂依赖性
强关联电子
2021-01-13 v1
摘要
我们通过密度泛函理论和动力学平均场理论研究镍酸盐超导体 NdNiO2 在空穴掺杂下的电子结构。我们证明了由 Ni-3dx2-y2 轨道形成的强关联态与由于 Nd-5d 和 Ni-3dz2 轨道产生的巡游电子之间的强内禀杂化，产生了价态涨落的关联金属作为空穴掺杂 NdNiO2 的正常态。洪德规则在轻掺杂化合物中对多轨道物理似乎起主导作用，而其影响随掺杂水平增加而逐渐减弱。关键在于，空穴掺杂对 Ni-3d 轨道产生复杂影响，例如轻掺杂水平下电子占据的非单调变化，以及过掺杂区中轨道构型的翻转。此外，我们还绘制了不同掺杂水平下的费米面拓扑。这些发现提供了一个窥探电子配对与超导的优选窗口。
引用
@article{arxiv.2008.09274,
title = {Doping dependence of electronic structure of infinite-layer NdNiO2},
author = {Zhao Liu and Chenchao Xu and Chao Cao and W. Zhu and Z. F. Wang and Jinlong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.09274},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures. 4 supply pages