电子与空穴掺杂在 NdNi1_xVxO3 纳米结构中的作用
材料科学
2022-09-07 v1
摘要
钕镍酸盐 NdNiO3 因在相近温度下同时发生多种相变而引人关注。NdNiO3 的电子性质极为复杂，因为结构畸变、电子关联、电荷有序与轨道重叠在相变中起着重要作用。我们报道了通过掺杂单一 3d 金属 V 向 NdNiO3 纳米结构中注入电子与空穴的效应，以理解在无任何结构畸变下电子性质的变化。观察到通过空穴掺杂实现超过五个数量级的可逆电阻率调制，通过电子掺杂完全抑制金属-绝缘体相变，并伴随主要载流子的切换。在无任何结构畸变与外应变下对电子性质的调制，为将 NdNi1_xVxO3 纳米结构考虑应用于新兴电子器件开辟了新方向。
引用
@article{arxiv.2209.01828,
title = {Role of electron and hole doping in NdNi1_xVxO3 Nanostructure},
author = {Raktima Basu and Reshma Kumawat and Mrinmay Sahu and Abu Bakkar Miah and Partha Mitra and Goutam Dev Mukherjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.01828},
year = {2022}
}