掺杂 NiO：电荷转移绝缘体中的莫特特性
强关联电子
2020-05-20 v3 材料科学
摘要
强关联绝缘体随掺杂的电子结构演化一直是凝聚态物理中的核心基本问题；它也具有重大的实际应用意义。我们利用高质量薄膜以及广泛的实验和理论方法，研究了 NiO 在空穴{\em 和}电子掺杂下的演化。两种情况下演化都随掺杂浓度非常平滑。能带隙在电子和空穴掺杂下是不对称的，与电荷转移绝缘体图像一致，并且在空穴掺杂下比电子掺杂下减小得更快。对于电子和空穴掺杂，占据态都被引入价带顶。电子掺杂下深施主能级的形成以及无法将原本空的状态钉扎在近导带边，表明局域电子添加和移除能量由类莫特的哈伯德 相互作用主导，尽管全局能隙主要是电荷转移型能隙。
引用
@article{arxiv.2001.11436,
title = {Doped NiO: the Mottness of a charge transfer insulator},
author = {Friederike Wrobel and Hyowon Park and Changhee Sohn and Haw-Wen Hsia and Jian-Min Zuo and Hyeondeok Shin and Ho Nyung Lee and P. Ganesh and Anouar Benali and Paul R. C. Kent and Olle Heinonen and Anand Bhattacharya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.11436},
year = {2020}
}
备注
Revised version