NiO中掺杂诱导的金属-绝缘体相变
强关联电子
2015-07-03 v2 材料科学
摘要
在约化密度矩阵泛函理论和密度泛函理论框架内研究了NiO中的绝缘体-金属相变。我们发现，使用约化密度矩阵泛函理论获得的谱密度与未掺杂和掺杂NiO的实验结果均吻合良好。我们发现，空穴掺杂诱导的相变的物理描述在密度泛函理论和约化密度矩阵泛函计算中定性不同。在前一种情况下，相变的潜在机制被识别为化学势的刚性移动，而在后一种情况下，谱权重的重新分布驱动了相变。发现后一种结果与实验和先前的多体计算均吻合良好。
引用
@article{arxiv.1206.1713,
title = {Doping induced metal-insulator phase transition in NiO},
author = {Y. Shinohara and S. Sharma and J. K. Dewhurst and S. Shallcross and N. N. Lathiotakis and E. K. U. Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1713},
year = {2015}
}