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RDMFT框架下Mott绝缘体的谱密度与金属-绝缘体相变

强关联电子 2015-06-05 v1 材料科学

摘要

我们提出了一种在约化密度矩阵泛函理论框架内计算周期固体谱的方法。通过与成熟多体技术的角动量投影谱密度进行详细比较,验证了该方法的有效性,在所有情况下均发现高度一致。研究了压力诱导的MnO中绝缘体-金属相变背后的物理机制。该相变的驱动机制被识别为压力下晶体场分裂的增加,导致Mn ege_gt2gt_2g 对称投影态之间的电荷重新分布。

关键词

引用

@article{arxiv.1206.1712,
  title  = {Spectral density and metal-insulator phase transition in Mott insulators within RDMFT},
  author = {S. Sharma and J. K. Dewhurst and S. Shallcross and E. K. U. Gross},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1712},
  year   = {2015}
}

备注

arXiv admin note: text overlap with arXiv:0912.1118