CoFe2O4覆盖的NdNiO3薄膜中的金属-绝缘体-金属转变
强关联电子
2017-03-08 v1
摘要
金属-绝缘体转变表现为当温度降低时，从高电荷导电态转变为电荷导电被极大抑制的另一态。本文展示了在CoFe2O4覆盖的NdNiO3薄膜中的两次连续转变，其中金属-绝缘体转变发生在85 K，随后在40 K以下出现前所未有的绝缘体-金属转变。这种新兴的伴随弱反铁磁行为的绝缘体-金属转变在厚度20个原胞的NdNiO3且CoFe2O4覆盖超过5个原胞时被观察到。不同的是，具有更薄CoFe2O4覆盖的NdNiO3薄膜仅在85 K表现出金属-绝缘体转变，并在40 K以下伴随强反铁磁态。从Co到Ni而非从Fe到Ni的电荷转移，形成了Ni-Ni和Ni-Co原子间的铁磁相互作用，从而抑制了反铁磁特征并产生金属导电行为。此外，绘制了该系统金属-绝缘体-金属转变的相图。
引用
@article{arxiv.1702.01842,
title = {Metal-insulator-metal transition in NdNiO3 films capped by CoFe2O4},
author = {M. S. Saleem and C. Song and J. J. Peng and B. Cui and F. Li and Y. D. Gu and F. Pan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01842},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 5 figures, to appear in Appl. Phys. Lett