SmNiO3薄膜的金属-绝缘体转变与电致忆阻特性
材料科学
2013-01-09 v1 强关联电子
摘要
关联氧化物SmNiO3(SNO)在块体形式下于130°C表现出绝缘体-金属转变(MIT)。我们报道了沉积在LaAlO3(LAO)和Si单晶上的SNO薄膜的合成与电子输运。X射线衍射研究表明，压应变单相SNO在LAO上外延生长，而在Si上则观察到混合氧化物相。在两种衬底上生长的薄膜的电阻-温度测量中均观察到MIT，其中LAO/SNO薄膜为面内电荷输运，Si/SNO薄膜为面外电荷输运。在LAO/SNO薄膜中实现了电致忆阻行为，表明SNO可能适用于神经形态器件。
引用
@article{arxiv.1101.3538,
title = {Metal-insulator transition and electrically-driven memristive characteristics of SmNiO3 thin films},
author = {Sieu D. Ha and Gulgun H. Aydogdu and Shriram Ramanathan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3538},
year = {2013}
}