Nd_{0.7}La_{0.3}NiO_{3}薄膜中从弱局域化区域到强局域化区域的连续转变
强关联电子
2020-07-27 v1
摘要
我们报道了通过脉冲激光沉积在LaAlO_{3} (LAO)、SrTiO_{3} (STO)和NdGaO_{3} (NGO)晶体衬底上生长的Nd_{0.7}La_{0.3}NiO_{3}薄膜中，使用低至0.3 K的电导率和磁电导(MC)测量对金属-绝缘体转变(MIT)的研究。生长在LAO上的薄膜经历压缩应变，并表现出金属行为，在2 K以下出现微弱的电阻率上升，这与弱局域化贡献的开始有关。生长在STO和NGO上的薄膜在特定温度下显示出从正温度系数(PTC)电阻区域到负温度系数(NTC)电阻区域的交叉。我们证实，降温时从PTC到NTC的交叉并不必然构成MIT，因为外推至零温的电导率σ_{0}虽然很小(<10 S/cm)，但是有限的，这表明存在一种不良金属态且不存在激活输运。与生长在STO上的薄膜相比，生长在NGO上的薄膜的σ_{0}值减小了40倍。我们表明，某些物理因素的组合使得替代型镍酸盐（已知表现出一级Mott型转变）经历了一种连续转变，正如在经历无序/组分驱动的Anderson转变的系统中所见。磁电导测量也支持上述观察，并表明在低温下存在由量子干涉产生的正磁电导，它与自旋相关的负磁电导共存，并且随着电子在生长于NGO的薄膜中接近强局域化状态，负磁电导逐渐增强。
引用
@article{arxiv.2007.12370,
title = {Continuous transition from weakly localized regime to strong localization regime in Nd_{0.7}La_{0.3}NiO_{3} films},
author = {Ravindra Singh Bisht and Gopi Nath Daptary and Aveek Bid and A. K. Raychaudhuri},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.12370},
year = {2020}
}
备注
24 pages