超薄LaNiO3薄膜中的金属-绝缘体转变
材料科学
2015-05-27 v2
摘要
随着薄膜厚度减小且方块电阻达到接近h/e2（二维量子电阻）的值，超薄LaNiO3薄膜的输运特性由金属性演变为强局域化特征。在中间区间，观察到了对Drude低温电导率的量子修正；这些修正可由弱局域化理论精确描述。值得注意的是，该区间中的负磁阻是各向同性的，这指向了磁散射，它与系统接近自旋玻璃态或在其他稀土镍酸盐中观察到的电荷有序反铁磁态相关联。
关键词
引用
@article{arxiv.1101.5111,
title = {Metal-insulator transition in ultrathin LaNiO3 films},
author = {R. Scherwitzl and S. Gariglio and M. Gabay and P. Zubko and M. Gibert and J. -M. Triscone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.5111},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted for publication in PRL