CaCu$_{3}$Ru$_{4}$O$_{12}$薄膜中弱反局域化-弱局域化渡越与金属-绝缘体转变的证据
强关联电子
2021-03-11 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
通过调节层厚对电子进行人工限域，已成为在复杂氧化物纳米层中控制竞争相的有力工具。我们研究了维度对基于电子的重费米子金属CaCuRuO输运性质的影响。随着厚度减小，输运行为从金属态演变为局域化区，并在膜厚低于3 nm时观察到金属-绝缘体转变，此时方阻跨越k（二维量子电阻）。磁输运研究表明，随着厚度减小，非弹性散射长度与自旋轨道散射长度之间存在强相互作用，导致磁电导中出现弱反局域化(WAL)到弱局域化(WL)的渡越。
引用
@article{arxiv.1908.11128,
title = {Evidence for weak antilocalization-weak localization crossover and metal-insulator transition in CaCu$_{3}$Ru$_{4}$O$_{12}$ thin films},
author = {Subhadip Jana and Shwetha G. Bhat and B. C. Behera and L. Patra and P. S. Anil Kumar and B. R. K. Nanda and D. Samal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.11128},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures