通过带宽控制实现 CaVO3 薄膜的电子局域化
强关联电子
2019-08-29 v1
摘要
理解和控制量子材料薄层的电子结构是设计异质结构的关键第一步，在这些异质结构中会涌现包括金属-绝缘体相变（MIT）在内的新相和现象。在此，我们通过选择沉积的原子层数来调节电子带宽和局部格位环境，从而展示了对 MIT 的控制。我们以 CaVO3 为代表性例子，它在块体形式下是一种关联金属，其 V4+ 3d 轨域中只有一个电子。我们发现厚膜和超薄膜（6 个晶胞及以下）分别表现出金属性和绝缘性，而 10 个晶胞的 CaVO3 薄膜则表现出明显的热致 MIT。我们结合 X 射线吸收谱和共振非弹性 X 射线散射（RIXS）的研究表明，厚度诱导的 MIT 是由电子带宽减小和 V3+ 离子局域矩形成引发的，这两者都是厚度限域的结果。我们 10 个晶胞 CaVO3 薄膜中的热致 MIT 在 RIXS 响应上表现出与厚度诱导 MIT 相似的带宽减小和 V 3d - O 2p 杂化变化。
引用
@article{arxiv.1908.10604,
title = {Electronic Localization in CaVO3 Films via Bandwidth Control},
author = {Daniel E. McNally and Xingye Lu and Jonathan Pelliciari and Sophie Beck and Marcus Dantz and Muntaser Naamneh and Tian Shang and Marisa Medarde and Christof W. Schneider and Vladimir N. Strocov and Ekaterina V. Pomjakushina and Claude Ederer and Milan Radovic and Thorsten Schmitt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.10604},
year = {2019}
}
备注
27 pages, 6 figures