莫特-哈伯德关联金属中的带宽调控与对称性破缺

在莫特材料中，强电子关联产生了复杂的电子结构谱。近期的合成进展为利用莫特物理设计变革性器件提供了现实机遇。然而，实现此类器件的主要瓶颈仍在于缺乏对电子关联强度的控制。这源于电子结构的复杂性，其常掩盖了关联强度背后的基本机制。本文中，我们通过皮米级晶格工程调节轨道重叠程度，实现了对关联强度的控制。我们阐明了带宽调控与同时发生的对称性破缺如何支配关联模型体系 $SrVO_3$ 的电子结构。我们展示了拉伸与压缩双轴应变对 $SrVO_3$ 面内与面外轨道占据产生相反影响，导致轨道简并的部分解除。我们推导并解释了应变下的谱权重重分布，并说明高拉伸应变如何将体系驱向莫特绝缘态。此类概念的落实将推动关联电子现象更接近新型固态器件与电路。这些发现从而为进一步理解并控制广泛功能材料中的电子关联铺平道路，使这一强大资源用于新型电子学更近实用化。