Hubbard模型中直流导电率与光导电率的非局相关效应
强关联电子
2026-03-13 v2
摘要
导电率是电子系统最直接的探针之一,但在存在强非局相关性时,其理论描述仍具挑战性。本文在半填充单带Hubbard模型中分析导电率,识别了跨Mott相变的空间相关性作用。我们指出,在受相关金属相中,对导电率的精确描述不仅需要正确的谱函数,还需要包含编码于顶点校正中的复杂多电子过程。向Mott绝缘相的交叉表现为顶点校正对直流导电率贡献消失。然而,在Mott绝缘体中,顶点校正仍对光导电率保持显著作用。
引用
@article{arxiv.2507.16673,
title = {Nonlocal Correlation Effects in dc and Optical Conductivity of the Hubbard Model},
author = {Nagamalleswararao Dasari and Hugo U. R. Strand and Martin Eckstein and Alexander I. Lichtenstein and Evgeny A. Stepanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.16673},
year = {2026}
}
备注
14 pages, 9 figures