SrVO3超薄膜中维度交叉驱动的莫特绝缘体
强关联电子
2013-07-25 v2 材料科学
摘要
采用脉冲电子束沉积技术在(001)取向的LSAT衬底上生长了不同厚度的高质量外延SrVO3 (SVO)薄膜。厚SVO薄膜(~25 nm)表现出金属行为，电阻率遵循费米液体系统的定律。我们在厚度低于6.5 nm的SVO超薄膜中观察到温度驱动的金属-绝缘体转变(MIT)，6.5 nm薄膜的转变温度为50 K，5.7 nm薄膜为120 K，3 nm薄膜为205 K。观察到的MIT的出现可归因于从三维金属到二维莫特绝缘体的维度交叉，因为由此导致的有效带宽减小在费米能级处打开了带隙。SVO超薄膜的磁输运研究也证实了观察到的MIT源于电子-电子相互作用而非局域化。
引用
@article{arxiv.1307.5819,
title = {Dimensional-Crossover-Driven Mott Insulators in SrVO3 Ultrathin Films},
author = {Man Gu and Stuart A. Wolf and Jiwei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.5819},
year = {2013}
}