基于氧化钒薄膜阻变开关的室温 Mott 晶体管
材料科学
2024-07-18 v1 强关联电子
摘要
电场诱导的巨大阻变开关由绝缘-金属相变（IMT）触发，是开发新型电子器件的热门方法，常称为 Mott 器件。实现在室温下通过最小外部场实现这种阻变开关具有极其重要的研究和技术意义。Mott-IMT 常与结构变化相关，而这对光电器件和致动器件应用至关重要。本文报道了在室温下、于 IMT 相边界稳定的无定向多晶体 V2O3-Si 薄膜中实现约 900% 的巨大阻变开关，并在小电场下发生结构转变。电子在 a1g 带中的人口增加是导致 Mott 能隙坍缩并驱动结构转变的原因。此外，我们还制造了一个通道 ON/OFF 阻变比约为 15 的室温 Mott-FET。该研究提供了 V2O3 中 Mott-IMT 的基本机制及其器件应用。
引用
@article{arxiv.2407.12507,
title = {Room temperature Mott transistor based on resistive switching in disordered V2O3 films grown on Si},
author = {Binoy Krishna De and V. G. Sathe and Divya and Pragati Sharma and Shubham Kumar Parate and Hemant Singh Kunwar and Pavan Nukala and S. B. Roy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.12507},
year = {2024}
}
备注
16 pages, 5 figures