SrTi_{1-x}V_xO_3 薄膜中诱导的金属 - 绝缘体转变
强关联电子
2015-06-17 v1 材料科学
摘要
利用脉冲电子束沉积技术在 (001) 取向的 LSAT 衬底上生长了厚度约为 16 nm 的外延 SrTi1-xVxO3 薄膜。输运研究表明，对于 x = 0.67 的薄膜，在 95 K 处发生了温度驱动的金属 - 绝缘体转变 (MIT)。具有较高钒浓度 (x > 0.67) 的薄膜呈金属性，其电阻率遵循对应于费米液体系统的 T^2 定律。在 x < 0.67 的绝缘区域，x = 0.5 和 0.33 薄膜的电阻率温度依赖性可用变程跃迁模型进行标度。文中讨论了观测到的 MIT 背后的可能机制，包括电子关联、晶格畸变和 Anderson 局域化的效应。
引用
@article{arxiv.1309.1745,
title = {Metal-insulator transition induced in SrTi_{1-x}V_xO_3 thin films},
author = {Man Gu and Stuart A. Wolf and Jiwei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1745},
year = {2015}
}