外延 V₂O₃ 薄膜中金属-绝缘体转变的调控
材料科学
2018-05-03 v2
摘要
我们报道了通过反应直流磁控溅射在 c 面 Al₂O₃ 衬底上合成外延 V₂O₃ 薄膜的研究。结果显示，相较于先前报道，在显著更低的温度窗口内，于 [0001] 取向表面沉积可获得外延薄膜。薄膜呈现金属-绝缘体转变，电阻变化达四个数量级，且强烈依赖于沉积过程中的 O₂ 分压。尽管薄膜的电学性质对沉积时 O₂ 量敏感，其晶体结构及具有微米尺度、原子级平坦台阶形貌的表面形貌得以保持。转变温度以及金属-绝缘体转变的尺度，与薄膜的化学计量比及可由沉积参数调控的局域应变相关。
引用
@article{arxiv.1801.07075,
title = {Tuning metal-insulator transitions in epitaxial V$_2$O$_3$ thin films},
author = {Einar B. Thorsteinsson and Seyedmohammad Shayestehaminzadeh and Unnar B. Arnalds},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.07075},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures