基底诱导的微结构效应对 VO$_2$ 薄膜光致金属 - 绝缘体转变动力学的影响
光学
2015-01-19 v3 材料科学
摘要
我们研究了沉积在不同基底（TiO 和 AlO）上的两种 VO 薄膜中超快光致金属 - 绝缘体转变 (MIT) 动力学的差异，特别是诱导各种 MIT 阶段所需的阈值激光通量值在宽样品温度范围 (150 K - 320 K) 内的温度依赖性。我们确定，尽管两种样品的 MIT 演化总体模式相似，但仍存在若干差异。最显著的是，TiO 基底上 VO 薄膜达到完全金属相转变所需的激光通量阈值在考虑的温度范围内几乎恒定，而 VO/AlO 样品则显示出明显的温度依赖性。我们的分析将这种行为定性地归因于两种 VO 薄膜的结构差异。
引用
@article{arxiv.1410.6438,
title = {Substrate-induced microstructure effects on the dynamics of the photo-induced Metal-insulator transition in VO$_2$ thin films},
author = {E. Radue and L. Wang and S. Kittiwatanakul and J. Lu and S. A. Wolf and E. Rossi and R. A. Lukaszew and I. Novikova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.6438},
year = {2015}
}
备注
Changed formatting of figures, fixed some citations: Consistent with published version