弱抗局域化到铁磁体界面处的自旋依赖散射
材料科学
2025-10-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
材料电阻随磁场变化（磁阻）结果是量子干涞效应和/或自旋依赖传输，取决于材料性质和维数。在无序导体中，电子干涉导致弱局域化或抗局域化；相反，铁磁导体支持自旋依赖散射，导致巨型磁阻（GMR）。通过改变 Au 厚度从 4 nm 到 28 nm 在 EuS/Au/EuS 自旋开关中，我们观察到从弱抗局域化到界面 GMR 的交叉。该交叉与 EuS 界面上的电子散射有关的 Au 磁近似效应有关。由于 Au 中的近似诱导交换场抑制了弱抗局域化，这与 Maekawa-Fukuyama 理论一致。随着 Au 厚度增加，GMR 以及自旋哈克磁阻也随之出现。这些发现表明由界面交换场控制的自旋传输，为无金属磁性的自旋器件功能提供了框架。
引用
@article{arxiv.2510.10595,
title = {Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface},
author = {Hisakazu Matsuki and Guang Yang and Jiahui Xu and Vitaly N. Golovach and Yu He and Jiaxu Li and Alberto Hijano and Niladri Banerjee and Iuliia Alekhina and Nadia Stelmashenko and F. Sebastian Bergeret and Jason W. A. Robinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.10595},
year = {2025}
}