GaMnAs 中的弱局域化：杂质带输运的证据
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们报道了在低温 ( K) 和低磁场 ( mT) 下，铁磁半导体 GaMnAs 中负磁阻现象的观测结果。我们将此效应归因于弱局域化。弱局域化的观测为这些材料中的杂质带输运提供了有力证据，因为对于价带输运，人们预期会由于强自旋 - 轨道相互作用而出现弱反局域化，或者由于本征磁化而导致干涉完全被抑制。除了弱局域化外，我们在该材料中还观测到了 Altshuler-Aronov 电子 - 电子相互作用效应。
引用
@article{arxiv.0707.2416,
title = {Weak localization in GaMnAs: evidence of impurity band transport},
author = {L. P. Rokhinson and Y. Lyanda-Geller and Z. Ge and S. Shen and X. Liu and M. Dobrowolska and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.2416},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figure