铁磁性 GaMnAs 的电阻率温度依赖性：杂质散射与多体效应之间的相互作用
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
利用记忆函数形式和时间依赖密度泛函理论，计算了稀磁半导体 GaMnAs 的静态电导率，以考虑杂质散射并处理空穴气体中的 Hartree 和交换相互作用。我们发现，仅靠带电杂质的库仑散射不足以解释实验观察到的铁磁转变温度以下电阻率的下降：研究表明，经常被忽视的局域自旋涨落散射起着重要作用。
引用
@article{arxiv.0906.3526,
title = {Temperature-dependent resistivity of ferromagnetic GaMnAs: Interplay between impurity scattering and many-body effects},
author = {F. V. Kyrychenko and C. A. Ullrich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.3526},
year = {2015}
}