记忆函数形式体系方法在稀磁半导体电导率与光学响应中的应用
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
将记忆函数形式体系与含时密度泛函理论相结合，应用于稀磁半导体中的输运研究。该方法在同等基础上考虑了自旋与电荷无序以及电子 - 电子相互作用。在弱无序极限下，并对价带采用简单的抛物线近似，我们表明 GaMnAs 中库仑散射与交换散射对电阻率的贡献具有相同的数量级。缺陷的位置相关性导致库仑散射显著增加，而铁磁相中局域自旋涨落的抑制则对实验观测到的低于 T_c 时电阻率的下降有重要贡献。正确处理动态屏蔽与集体激发对于准确描述红外吸收至关重要。
引用
@article{arxiv.0704.2061,
title = {Memory function formalism approach to electrical conductivity and optical response of dilute magnetic semiconductors},
author = {F. V. Kyrychenko and C. A. Ullrich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2061},
year = {2007}
}
备注
Proceedings of the 13th Brazilian Workshop on Semiconductors Physics