低掺杂 GaMnAs 中铁磁性的 onset
材料科学
2008-07-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们发展了一种定量预测理论，用于描述 GaMnAs 低掺杂 regime 中的杂质带铁磁性，并将其与一系列样品的实验测量结果进行比较，这些样品的组分涵盖了从顺磁绝缘体到铁磁导体的转变。理论居里温度敏感地依赖于 Mn-空穴结合能的局部涨落，这源于 Mn 分布的无序以及 As 反位缺陷的存在。实验确定的居里温度处的跳跃能在一系列样品中大致恒定，这些样品的电导率变化超过 10^4，空穴浓度变化超过 10^2。因此，在该 regime 下，跳跃能是样品居里温度的优秀预测指标，这与理论一致。
引用
@article{arxiv.0708.1063,
title = {Onset of ferromagnetism in low-doped GaMnAs},
author = {B. L. Sheu and R. C. Myers and J. -M. Tang and N. Samarth and D. D. Awschalom and P. Schiffer and M. E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1063},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 4 figures