反位缺陷对(Ga,Mn)As铁磁性的影响
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了在系统改变As反位缺陷密度时，(Ga,Mn)As的居里温度和空穴密度。As反位缺陷导致的空穴补偿限制了居里温度，并且可以在1-2% Mn的低掺杂区域完全淬灭长程铁磁有序。样品通过分子束外延在不旋转衬底的情况下生长，以便在单个晶圆上平滑地改变As与Ga的通量比。该技术允许系统地研究As化学计量比对(Ga,Mn)As的结构、电子和磁性质的影响。对于浓度低于1.5% Mn的情况，观察到与Tc ~ p^0.33的强烈偏差。我们的结果强调，在低掺杂极限下，适当控制As反位缺陷补偿对于控制(Ga,Mn)As的居里温度至关重要。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606488,
title = {Antisite effect on ferromagnetism in (Ga,Mn)As},
author = {R. C. Myers and B. L. Sheu and A. W. Jackson and A. C. Gossard and P. Schiffer and N. Samarth and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606488},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 7 figures