As 杂位是否会破坏(Ga,Mn)As的铁磁性？
材料科学
2025-06-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在局部自旋密度近似中，研究了As杂位掺杂于稀释磁性半导体(Ga,Mn)As中的效应。对于Mn离子均匀分布的情况，我们发现杂位会显著削弱铁磁性。这源于自由空穴（介导远程铁磁有序）的数量被抵消。在相反的情况下，当两个Mn离子仅通过一个As离子相互作用时，铁磁和反铁磁有序相竞争。在这种情况下，磁性基态取决于：i) As杂位相对于Mn的位置，以及ii) As杂位浓度。我们通过局域Zener载流子介导的反铁磁超交换和铁磁双交换模型来解释这些结果。铁磁有序对微观构型的强依赖性解释了实验数据中大幅波动的原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011372,
title = {Do As antisites destroy the ferromagnetism of (Ga,Mn)As?},
author = {Stefano Sanvito and Nicola A. Hill},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011372},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 4 figures