半导体中磁性离子的受控聚集：实验演示
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
控制磁性离子在半导体宿主中的分布对于磁性掺杂半导体的功能至关重要。通过纳米尺度的结构分析，我们提供了实验证据，表明 (Ga,Fe)N 中 Fe 离子的聚集以及 consequently 材料的磁响应受到生长速率和浅能级杂质共掺杂的影响。
引用
@article{arxiv.0804.3324,
title = {Controlled aggregation of magnetic ions in a semiconductor. Experimental demonstration},
author = {A. Bonanni and A. Navarro-Quezada and Tian Li and M. Wegscheider and Z. Matej and V. Holy and R. T. Lechner and G. Bauer and M. Kiecana and M. Sawicki and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.3324},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures