半导体中磁耦合的能带结构模型

Gustavo M. Dalpian; Su-Huai Wei; X. G. Gong; Antônio J. R. da Silva; A. Fazzio

doi:10.1016/j.ssc.2006.03.002

半导体中磁耦合的能带结构模型

材料科学 2009-11-11 v1

作者: Gustavo M. Dalpian , Su-Huai Wei , X. G. Gong , Antônio J. R. da Silva , A. Fazzio

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摘要

我们提出了一个统一的能带结构模型来解释Mn掺杂半导体中的磁有序。该模型基于Mn离子与主体元素之间的 $p$ - $d$ 和 $d$ - $d$ 能级排斥，可以成功地解释在所有Mn掺杂的II-VI和III-V半导体（如CdTe、GaAs、ZnO和GaN）中观察到的磁有序。因此，该模型为未来磁性半导体的能带结构工程提供了简单的指导。

关键词

磁性半导体能带结构 p-d交换磁有序 Mn掺杂半导体 II-VI半导体 III-V半导体

引用

@article{arxiv.cond-mat/0504084,
  title  = {Band structure model of magnetic coupling in semiconductors},
  author = {Gustavo M. Dalpian and Su-Huai Wei and X. G. Gong and Antônio J. R. da Silva and A. Fazzio},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504084},
  year   = {2009}
}

备注

4+ pages, 5 figures

半导体中磁耦合的能带结构模型

摘要

关键词

引用

备注

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