掺 Mn 的 III-V 半导体中的无序诱导效应
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在 III-V 稀释磁半导体中取代 Mn 会导致强电子杂散对杂质的散射。除了 Mn d 态与价带混合引起的特征外，导带也受到 Mn s 态缺失影响。此外，高浓度的补偿供电器也会改变能带结构。我们在掺 Mn 和 Se 的 GaP 中展示了吸收系数 ε2(ω) 的该效应。通过 ab initio 密度泛函计算得到的吸收从平滑的尾部开始，且不呈现 III-V 材料特有的结构。我们分析了这些特征以及杂散对模型系统中的作用，使用紧束缚一致势方法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302179,
title = {Disorder-Induced Effects in III-V Semiconductors with Mn},
author = {J. Masek and F. Maca},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302179},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 3 figures, presented at XXXI Int. School of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 2002, Poland