混合价绝缘体中施主杂质带的性质
强关联电子
2019-10-04 v2 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
在具有大有效玻尔半径的传统半导体中，电子施主在导带边下方形成一个类氢束缚态。由此类类氢杂质产生的杂质带的性质在过去 70 年中已被广泛研究。在本文中，我们考虑在混合价绝缘体中是否可能存在类似的束缚态和类似的杂质带，其中能隙在低温下由强电子-电子相互作用产生。我们发现杂化导带的结构导致一种不寻常的束缚态，可用一维氢原子的物理来描述。相对于传统半导体情形，所得杂质带的性质也在若干方面被改变；最显著的是，杂质带可容纳大得多的浓度而不引发绝缘体-金属转变。我们估计了与该转变相关的临界掺杂，进而计算直流和交流电导率以及比热。我们结合近期对混合价绝缘体 SmB 的测量结果讨论我们的发现，并发现它们与实验一致。
引用
@article{arxiv.1907.02069,
title = {Properties of the donor impurity band in mixed valence insulators},
author = {Brian Skinner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.02069},
year = {2019}
}
备注
9+5 pages, 3 figures; published version