晶态宿主中重掺杂杂质带的结构
无序系统与神经网络
2023-01-18 v1
摘要
我们利用Jacobi-Davidson算法和监督深度学习方法研究了重掺杂非磁性半导体中杂质带的性质。无序平均逆参与比（IPR）和Thouless数计算向我们展示了杂质带内部丰富的结构。一个经训练能以高准确度区分Anderson模型的扩展/局域相的卷积神经网络（CNN）模型，给出的结果与常规方法吻合良好。综合来看，我们发现对于特定的在位杂质势，杂质带中存在三个迁移率边，这意味着在填充杂质带时存在扩展态。
引用
@article{arxiv.2301.06682,
title = {The structure of heavily doped impurity band in crystalline host},
author = {Hongwei Chen and Zi-Xiang Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.06682},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 8 figures